24,510.09
-251.04
(-1.01%)
24,567
+45
(+0.18%)
高水57
8,165.78
-100.23
(-1.21%)
4,311.78
-49.35
(-1.13%)
1,022.03億
3,888.37
-48.15
(-1.223%)
4,439.14
-78.14
(-1.730%)
13,316.97
-319.10
(-2.340%)
--
--
(--)
83,965.9900
-444.2500
(-0.526%)
阿斯麥
  • 1,735.060
  • +12.560
  • (+0.729%)
  • 最高
  • 1,759.250
  • 最低
  • 1,728.110
  • 成交股數
  • 43.38萬
  • 成交金額
  • 4.98億
  • 前收市
  • 1,722.500
  • 開市
  • 1,740.010
  • 買入
  • 1,734.100
  • 賣出
  • 1,735.510
  • 市值
  • 6,616.12億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 36842
  • 每宗成交金額
  • 13,519
  • 波幅
  • 9.194%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 59.60/28.96
  • 周息率/預期
  • 0.53%/0.52%
  • 10日股價變動
  • 10.756%
  • 風險率
  • 286.333
  • 振幅率
  • 2.092%
  • 啤打系數
  • 1.530

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 25/09/2026 11:52:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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