24,856.45
+105.67
(+0.43%)
24,860
+124
(+0.50%)
高水4
8,263.14
+37.74
(+0.46%)
4,403.07
-2.43
(-0.06%)
582.68億
3,934.03
+22.16
(+0.566%)
4,533.06
+25.67
(+0.570%)
13,749.64
+108.77
(+0.797%)
2,660.49
+11.73
(+0.44%)
81,269.2200
+91.2100
(0.112%)
台積電
  • 434.670
  • +4.410
  • (+1.025%)
  • 最高
  • 434.817
  • 最低
  • 428.980
  • 成交股數
  • 1.29千萬
  • 成交金額
  • 20.58億
  • 前收市
  • 430.260
  • 開市
  • 429.040
  • 盤後
  • 433.560
  • -1.110
  • (-0.255%)
  • 最高
  • 434.670
  • 最低
  • 411.740
  • 成交股數
  • 5.79百萬
  • 成交金額
  • 4.70億
  • 買入
  • 433.300
  • 賣出
  • 445.000
  • 市值
  • 22,315.32億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 106529
  • 每宗成交金額
  • 19,322
  • 波幅
  • 6.069%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 32.06/20.21
  • 周息率/預期
  • 1.07%/0.97%
  • 10日股價變動
  • 1.343%
  • 風險率
  • 56.068
  • 振幅率
  • 1.672%
  • 啤打系數
  • 1.489

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 18/09/2026 19:59:47
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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